Tipo de microscopía que permite formar una imagen topográfica en escalas desde cientos de micras hasta nanómetros (1×10-9 m) sobre la superficie de un material conductor o semiconductor, mediante el barrido de una punta muy aguda conductora de una corriente eléctrica a una distancia de unos pocos nanómetros. Su coste es muy inferior al de la microscopía electrónica por lo que se ha hecho popular en muchos laboratorios para visualizar regiones de alta o baja densidad electrónica superficial e inferir la posición de átomos individuales o moléculas en la superficie de una red. Su resolución es de menos de 1 nm, lo que le permite distinguir detalles tridimensionales en la superficie de una muestra con una ampliación de varios millones de veces.
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microscopía de barrido por sondeo
Incluye a la microscopía de efecto túnel (MET) y a la microscopía de fuerza atómica (MFA). Se utiliza en biología y física del estado sólido.
microscopía de fuerza atómica, MFA
Basada en la microscopía de fuerzas, permite realizar medidas tanto en aire como en medios líquidos o fisiológicos. De gran aplicación en biomedicina, nanotecnología, ciencias de materiales o estudios medioambientales. Puede realizar dos tipos de medidas: imagen y fuerza (elasticidad, fuerza de adhesión, interacción antígeno-anticuerpo, interacción entre hebras complementarias de ADN, o interacciones estructurales de las moléculas, como plegado de proteínas, así como caracterizar la elasticidad de polímeros).